干法刻蚀均匀性优化装置及方法

摘要

本发明提供了一种干法刻蚀均匀性优化装置及方法，涉及刻蚀技术领域，解决了现有技术在基片批量刻蚀前需要生成大量测试图形，导致刻蚀成本高的问题。该干法刻蚀均匀性优化的装置包括：反应室，设置于反应室中的上电极板和下电极板，该装置还包括：等离子体密度检测装置，设置于反应室的中心和边缘处，用于检测反应室的中心和边缘处的等离子体密度；控制装置，用于获取等离子体密度检测装置检测的反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在中心处的等离子体密度不等于边缘处的等离子体密度时，直接调整反应室的参数，以使中心处的等离子体密度等于边缘处的等离子体密度。

主权项

一种干法刻蚀均匀性优化的装置，包括反应室，设置于所述反应室中的上电极板和下电极板，其特征在于，还包括：等离子体密度检测装置，设置于所述反应室的中心和边缘处，用于检测所述反应室的中心和边缘处的等离子体密度；控制装置，用于获取所述等离子体密度检测装置检测的所述反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在所述中心处的等离子体密度不等于所述边缘处的等离子体密度时，直接调整所述反应室的参数，以使所述中心处的等离子体密度等于所述边缘处的等离子体密度；其中，所述上电极板的中心设置有中心通气孔，所述上电极板的边缘设有第一组边缘通气孔和第二组边缘通气孔；所述控制装置包括质量流量控制器，用于从所述中心通气孔、第一边缘通气孔、第二边缘通气孔向所述反应室中通入气体，并且交替地控制经所述第一组边缘通气孔和第二组边缘通气孔的气体流量；所述干法刻蚀均匀性优化的装置还包括设置于所述反应室内的压力传感器；所述控制装置包括自适应压力控制器，用于获取所述压力传感器检测的气体压力；并且当所述中心处的等离子体密度大于所述边缘处的等离子体密度时，增大对所述反应室中气体的抽取量或减少所述反应室中气体的供应量，以降低所述反应室中的气体压力；当所述中心处的等离子体密度小于所述边缘处的等离子体密度时，减少对所述反应室中气体的抽取量或增大所述反应室中气体的供应量，以增大所述反应室中的气体压力。