发明名称 半导体存储装置
摘要 本发明提供一种半导体存储装置,该半导体存储装置由下述部件构成:与字线和位线连接且进行数据的存储保持的存储单元、与字线连接的字线驱动器电路、与位线连接的位线预充电电路、和外围控制电路。在存储单元和外围控制电路上连接了第1电源(VDD),在字线驱动器电路(2)和位线预充电电路(3)上,经由被第1控制信号(PD)控制的开关元件(MP1)而连接第1电源(VDD)。从而,能够在将面积增加限制得较少的同时有效地抑制待机时的泄漏电流。
申请公布号 CN102934170B 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201280001610.2 申请日期 2012.01.20
申请人 株式会社索思未来 发明人 山上由展
分类号 G11C11/413(2006.01)I;G11C11/41(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体存储装置,由下述部件构成:至少一个存储单元,其与字线和位线连接,进行数据的存储保持;至少一个字线驱动器电路,其与所述字线连接;至少一个位线预充电电路,其与所述位线连接;和外围控制电路,在所述存储单元和所述外围控制电路上直接连接第1电源,在所述字线驱动器电路和所述位线预充电电路上,经由被第1控制信号控制的开关元件而连接所述第1电源。
地址 日本神奈川县