背接触晶体硅太阳能电池片制造方法

摘要

本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括；在半导体基片表面进行开孔、制绒；在制绒后半导体基片表面上及通孔内壁上进行扩散；在扩散后半导体基片通孔内设置阻挡浆料；对设置阻挡浆料后半导体基片的进行刻蚀；去除刻蚀后半导体基片上的阻挡浆料；将去除阻挡浆料后半导体基片上的掺杂玻璃层去除；对去掺杂玻璃层后半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片。该方法在刻蚀前，通过在通孔内设置阻挡层，可以避免对通孔内的发射结刻蚀。与现有技术相比，该方法可以减少激光隔离工序，降低了电池片漏电风险，并且降低了碎片率。另外，减少激光隔离工序，使得工艺更加简单，减少了设备成本，有利于大规模工业化生产。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，其特征在于，包括：在半导体基片的表面进行打孔、制绒；在制绒后所述半导体基片的表面上及通孔的内壁上进行扩散，形成P‑N结；在扩散后所述半导体基片的通孔内设置阻挡浆料；对设置阻挡浆料后所述半导体基片进行刻蚀，得到的太阳能电池片的通孔孔内有发射结，而背光面没有发射结；去除刻蚀后所述半导体基片上通孔内的阻挡浆料，采用温度为20℃‑90℃，浓度为0.05％‑10％的碱液冲洗所述半导体基片上的阻挡浆料；将去除阻挡浆料后所述半导体基片上的掺杂玻璃层去除；对去掺杂玻璃层后所述半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片。