发明名称 无定形氧化物和场效应晶体管
摘要 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素,并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为10<sup>12</sup>/cm<sup>3</sup>或更高且低于10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>。其中,所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种:包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物;含有In、Zn和Sn的氧化物;含有In和Zn的氧化物;含有In和Sn的氧化物;含有In的氧化物;以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
申请公布号 CN102938420B 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201210322249.5 申请日期 2005.11.09
申请人 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 发明人 佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/428(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 屠长存
主权项 一种场效应晶体管,包括作为有源层的无定形氧化物膜,其中,所述无定形氧化物膜包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素,并且具有10<sup>12</sup>/cm<sup>3</sup>或更高且低于10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的电子载流子浓度,以及其中,所述无定形氧化物膜是从由以下所构成的组中选择的任一种:含有In、Zn和Sn的氧化物;含有In和Zn的氧化物;含有In和Sn的氧化物;含有In的氧化物;以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
地址 日本东京