制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺

摘要

制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺。本发明涉及一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：所述功能化层（4）和相对于注入方向位于所述功能化层（4）下面的牺牲缓冲层（5），所述离子物质被注入到限制源衬底（2）的包括缓冲层（5）的至少一部分和功能化层（4）的上部（20）的厚度的深度；（b）将源衬底（2）接合到支撑衬底（3）；（c）使所述源衬底（2）破裂并且向支撑衬底（3）传递源衬底（2）的上部（20）；（d）通过相对于功能化层（4）的选择性蚀刻去除缓冲层（5）。

主权项

一种制造包括位于支撑衬底(3)上的第一功能化层(4)的半导体结构(1)的工艺，所述工艺包括以下步骤：(a)在源衬底(2)中注入离子物质，所述源衬底(2)包括：‑所述第一功能化层(4)，所述第一功能化层(4)包括位于表面的第一金属导电电极(7a)，并且所述第一功能化层包括p‑n结和/或不同材料的多个层的重叠，‑牺牲缓冲层(5)，该牺牲缓冲层(5)相对于注入方向位于所述第一功能化层(4)下面，基础衬底(200)，其中在所述基础衬底(200)上形成所述牺牲缓冲层(5)，接着在所述牺牲缓冲层(5)上形成所述第一功能化层(4)，所述离子物质被以限制所述源衬底(2)的上部(20)的厚度的深度注入，所述上部(20)包括所述牺牲缓冲层(5)的至少一部分和所述第一功能化层(4)，(b)提供包括第二功能化层(6)的支撑衬底(3)，所述第二功能化层(6)包括位于表面的第二金属导电电极(7b)；(c)将所述源衬底(2)接合到所述支撑衬底(3)，所述第一金属电极(7a)和所述第二金属电极(7b)位于接合界面(203)；(d)使所述源衬底(2)破裂并且将所述源衬底(2)的所述上部(20)从所述源衬底(2)传递到所述支撑衬底(3)；(e)通过相对于所述第一功能化层(4)的选择性蚀刻去除所述牺牲缓冲层(5)。