| 发明名称 | 蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O<sub>2</sub>气体以至少将O<sub>2</sub>气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN105122432A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201480022312.0 | 申请日期 | 2014.03.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 高桥信博;高桥哲朗;守谷修司;松本雅至;松永淳一郎 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻方法包括以下工序：将在表面上具有氮化硅膜且具有与所述氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板配置在腔室内；将含F气体和O<sub>2</sub>气体以至少将O<sub>2</sub>气体激励后的状态向所述腔室内供给；以及利用这些气体相对于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜选择性地对所述氮化硅膜进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||