| 发明名称 | 一种抗氧化正面电极太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗氧化正面电极太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p-n结和去磷硅玻璃；b)在硅片正面的N+层表面丝网印刷若干条副栅线并烧结；c)用PECVD设备在硅片正面沉积SiNx减反膜，SiNx减反膜覆盖硅片正面100％的面积，将若干条副栅线和N+层表面完全覆盖；d)在硅片背面的P型硅表面丝网印刷Al背场和Ag背电极；e)在SiNx减反膜表面丝网印刷若干条主栅线；f)对硅片进行高温烧结。本发明具有副栅线隔绝外界的氧气，有效保护正面电极，同时提高了SiNx减反膜的有效面积，提高表面钝化效果的优点。本发明还提供一种低反射率晶体硅太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN105118891A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510507896.7 | 申请日期 | 2015.08.18 |
| 申请人 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 发明人 | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人 | 张伶俐 |
| 主权项 | 一种抗氧化正面电极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p‑n结和去磷硅玻璃；b)在硅片正面的N+层表面丝网印刷若干条副栅线并烧结；c)用PECVD设备在硅片正面沉积SiNx减反膜，SiNx减反膜覆盖硅片正面100％的面积，将若干条副栅线和N+层表面完全覆盖；d)在硅片背面的P型硅表面丝网印刷Al背场和Ag背电极；e)在SiNx减反膜表面丝网印刷若干条主栅线；f)对硅片进行高温烧结。 | ||
| 地址 | 528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 | ||