纵向隧穿场效应晶体管

摘要

本发明涉及半导体技术。本发明提供了一种纵向隧穿场效应晶体管，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，其技术方案可概括为：纵向隧穿场效应晶体管由缓冲层设置在半导体衬底上方，源区、本征区及漏区分别设置于缓冲层上方，外延本征区设置于本征区的上方，一侧与漏区相接触，另一侧外延至一部分源区的上方，栅氧化层设置在源区与外延本征区交叠部分的上方，其上方设置有金属栅，一个侧墙设置在源区的上方，另一个侧墙设置在外延本征区及漏区上方，应力膜覆盖在源区、漏区、金属栅及两个侧墙的上方。本发明的有益效果是，其埋氧层在漏极下方开口，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，适用于隧穿场效应晶体管。

主权项

纵向隧穿场效应晶体管，包括半导体衬底(1)、源区(2)、本征区(3)、漏区(4)、栅氧化层(5)及金属栅(6)，其特征在于，还包括缓冲层(10)、外延本征区(11)、应力膜(12)及两个侧墙(9)，所述缓冲层(10)设置在半导体衬底(1)上方，源区(2)、本征区(3)及漏区(4)分别设置于缓冲层(10)上方，且本征区(3)的两侧分别与源区(2)及漏区(4)相接触，源区(2)与本征区(3)的厚度相同且小于漏区(4)的厚度，外延本征区(11)设置于本征区(3)的上方，一侧与漏区(4)相接触，另一侧外延至一部分源区(2)的上方，外延本征区(11)的上表面与漏区(4)的上表面齐平，栅氧化层(5)设置在源区(2)与外延本征区(11)交叠部分的上方，其下表面与外延本征区(11)的上表面相接触，金属栅(6)设置在栅氧化层(5)上方，一个侧墙(9)设置在源区(2)的上方，其一侧与金属栅(6)相接触，另一个侧墙(9)设置在外延本征区11及漏区(4)上方，其一侧与金属栅(6)相接触，应力膜12覆盖在源区(2)、漏区(4)、金属栅(6)及两个侧墙(9)的上方。