发明名称 |
含有二维纳米晶光子晶体散射层的光阳极及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种含有二维纳米晶光子晶体散射层的光阳极,在FTO玻璃基片上由下至上依次为致密层、二维纳米晶光子晶体散射层、介孔纳米晶层。本发明还公开了含有二维纳米晶光子晶体散射层的光阳极的制备方法,先采用PDMS软模版微挤压纳米晶胶体膜,制备了结构完整的周期性微结构的二维纳米晶光子晶体,再采用丝网印刷在二维光子晶体上层制备纳米晶膜,高温退火之后获得附有二维光子晶体散射层的介孔纳米晶光阳极。本发明的制备方法能获得结构规整、宏观大面积以及厚度可控的光子晶体,方法简单,成本低廉,制备出的光阳极能提高光电转换效率与电池效率。 |
申请公布号 |
CN105118675A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201510587241.5 |
申请日期 |
2015.09.15 |
申请人 |
陕西理工学院 |
发明人 |
邓建平 |
分类号 |
H01G9/042(2006.01)I;H01G9/048(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/042(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
李娜 |
主权项 |
一种含有二维纳米晶光子晶体散射层的光阳极,其特征在于,在FTO玻璃基片上由下至上依次为致密层、二维纳米晶光子晶体散射层和介孔纳米晶层。 |
地址 |
723001 陕西省汉中市东一环路陕西理工学院 |