具有多种厚度的栅极电介质的半导体元件

摘要

本发明是有关于一种半导体元件，在一实施方式中，此半导体元件为一种高电位金氧半导体(HVMOS)元件。此元件包括半导体基板和形成在此半导体基板上的栅极结构。此栅极结构包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分且第二厚度大于第一厚度。在第一和第二部分上设有一栅电极。在一实施方式中,栅极电介质第二部分下方设有一漂移区域。此外，还提供了一种制造方法。

主权项

一种半导体元件，包含：一半导体基板；一栅极结构，形成在此半导体基板上，其特征在于栅极结构包括：一栅极电介质，具有一第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且该第二部分具有一第二厚度,其中该第二厚度大于该第一厚度；和一栅电极，位于该栅极电介质上；一源极与一漏极，形成在该栅极结构任一侧的基板上；和一隔离区，位于该半导体基板内，其中该隔离区位于该栅极电介质的该第二部分下方，其中该栅极电介质与该隔离区的绝缘材料的成分不同。