| 发明名称 |
一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管 |
| 摘要 |
本发明公开了一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Cu薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单。 |
| 申请公布号 |
CN105118868A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
| 申请号 |
CN201510635334.0 |
申请日期 |
2015.09.30 |
| 申请人 |
天津职业技术师范大学 |
发明人 |
李彤;王铁钢;倪晓昌 |
| 分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种NiO:Cu/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由p型NiO:Cu薄膜和n型TiOx薄膜而得到的异质pn结。 |
| 地址 |
300222 天津市津南区大沽南路1310号 |
