| 发明名称 |
发光二极管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管，其包括：一有源层，该有源层包括层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其中，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面或中间。 |
| 申请公布号 |
CN103378235B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
| 申请号 |
CN201210122532.3 |
申请日期 |
2012.04.25 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管，其包括：一有源层，该有源层包括层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述活性层设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；一第一电极，该第一电极与所述第二半导体层电连接；以及一第二电极，该第二电极与所述第一半导体层电连接；其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述第一半导体层的表面凹槽内或中间。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
