| 发明名称 | 第III族氮化物常关晶体管的层结构 | ||
| 摘要 | 常关晶体管的层结构(100)，其包括由第III族氮化物材料制成的供电子层(910)、由第III族氮化物材料制成的背势垒层(906)、在供电子层(910)和背势垒层(906)之间由具有比其他所述层的带隙能更低的带隙能的第III族氮化物材料制成的沟道层(908)。背势垒层(906)的材料具有p型导电性，而供电子层(910)的材料和沟道层(908)的材料则不具有p型导电性，供电子层(910)的带隙能小于背势垒层(906)的带隙能；在不施加外加电压的情况下，在沟道层(908)中第三第III族氮化物材料导带下边沿在能量上高于沟道层(908)中的材料的费米能级。 | ||
| 申请公布号 | CN105122456A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201480009119.3 | 申请日期 | 2014.02.14 |
| 申请人 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 发明人 | S·吕特根;S·穆拉德 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 常关晶体管的第III族氮化物层结构，该层结构包括‑由至少一种具有第一带隙能的第一第III族氮化物材料制成的供电子层；‑由至少一种具有第二带隙能的第二第III族氮化物材料制成的背势垒层；‑位于所述供电子层和所述背势垒层之间并且由具有比第一和第二带隙能更低的第三带隙能的第三第III族氮化物材料制成的沟道层，其中‑所述背势垒层的第二第III族氮化物材料具有p型导电性，而所述供电子层的第一第III族氮化物材料和所述沟道层的第三第III族材料则不具有p型导电性，‑所述供电子层的第一第III族氮化物材料的第一带隙能小于所述背势垒层的第二第III族氮化物材料的第二带隙能；其中‑在不将外加电压施加至所述层结构的情况下，所述沟道层中第三第III族氮化物材料的导带下边沿在能量上高于所述沟道层中第三第III族氮化物材料的费米能级。 | ||
| 地址 | 德国海尔伯隆 | ||