| 摘要 |
본 발명은, 예컨대 광전자 반도체 칩(예: 발광다이오드 칩)과 인쇄회로기판 또는 금속 도체 프레임의 접합부들(1, 2)을 연결하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 방법은, 제1 접합부(1) 및 제2 접합부(2)를 제공하는 단계와, 제1 접합부 상에 은을 함유하거나 은으로 구성되는 하나 이상의 층(11, 15)을 포함하는 제1 층 시퀀스(10)를 적층하는 단계와, 제2 접합부(2) 상에는 인듐 및 비스무트를 함유하는 하나 이상의 층(29)을 포함하거나, 또는 인듐을 함유하는 층(23) 및 비스무트를 함유하는 층(22, 24)을 포함하는 제2 층 시퀀스(20)를 적층하는 단계와, 사전 설정된 접합 시간 동안 최대 120℃인 접합 온도에서 접합 압력(p)을 적용하면서 각각 제1 접합부(1) 및 제2 접합부(2)를 등지고 있는 자신들의 단부면들 상에서 제1 층 시퀀스(10) 및 제2 층 시퀀스(20)를 상호 간에 압착하는 단계를 포함하며, 제1 층 시퀀스(10)와 제2 층 시퀀스(20)는 용융되어 하나의 연결 층(30)을 형성하고, 이 연결 층은 제1 접합부 및 제2 접합부에 직접 접하며, 연결 층의 용융 온도는 260℃ 이상이다. |
