一种基于Si衬底的大功率LED灯结构

摘要

本实用新型提供了一种基于Si衬底的大功率LED灯结构，包括支架、支架电极、热沉、粘接胶、LED芯片、金属丝、荧光粉和Si胶，所述支架两侧焊接有两个支架电极，支架的中间位置设有用于冷却LED芯片的热沉；所述LED芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极、Si基板、粘接金属、金属反射镜、GaN外延层和正面Au电极，所述LED芯片通过粘接胶固定在支架的反光杯底部；所述Si胶覆盖芯片和金属丝，形成封装保护和光学通道。本实用新型在Si衬底基础上制造的LED灯，有着优良的导热导电性能，且降低了制造成本；LED芯片表面有粗化结构，取光效率高；产品抗静电性能好，寿命长，可承载的电流密度高。

主权项

一种基于Si衬底的大功率LED灯结构，其特征在于，包括支架（1）、支架电极（2）、热沉（3）、粘接胶（4）、LED芯片（5）、金属丝（6）、荧光粉（7）和Si胶（8），所述支架（1）两侧焊接有两个支架电极（2），支架（1）的中间位置设有用于冷却LED芯片（5）的热沉（3）；所述LED芯片（5）为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au电极（9）、Si基板（10）、粘接金属（11）、金属反射镜（12）、GaN外延层（13）和正面Au电极（14），所述LED芯片（5）通过粘接胶（4）固定在支架（1）的反光杯底部；所述Si胶（8）覆盖芯片和金属丝（6），形成封装保护和光学通道。