用于控制薄膜均匀性的工艺及由此制造的产品

摘要

当在基片上沉积薄有机硅酸盐膜时，控制该薄有机硅酸盐膜的厚度均匀性的工艺。在通过CVD、PECVD、快速热处理等实现的膜沉积期间，控制基片温度，以建立特别适合于诸如那些由TEOS作为源材料沉积的有机硅酸盐膜的沉积速率的极端温度敏感的温度分布曲线。

主权项

一种在基片上沉积膜的方法，包括以下步骤：提供基座，其设置在处理室内；提供第一外部加热元件和第二内部加热元件，其中该第一加热元件位于所述基座的上表面的周边区域之下，而该第二加热元件位于所述基座的所述上表面的所述周边区域内侧的一个区域之下；提供第一热电偶，其位于表示第一加热元件向其提供能量的区域的一个位置，其中所述第一热电偶产生一温度读数；提供第二热电偶，其位于表示第二加热元件向其提供能量的区域的一个位置，其中所述第二热电偶产生一温度读数；提供加热器控制器，其被连接用以给所述第一加热元件提供第一电流并且给所述第二加热元件提供第二电流；并且将所述基片固定在所述基座上；其中，所述加热器控制器在将所述基片固定在基座上之后，控制所述第一和第二电流，以使所述第一热电偶的所述温度读数处于比所述第二热电偶的所述温度读数高10℃到20℃的范围。