半导体发光二极管器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体发光二极管器件及其形成方法，所述器件包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本发明能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。

主权项

一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；其特征在于，所述正电极焊接层和负电极焊接层的材料为铝合金材料，用于提高大电流下的抗电迁移性；所述负电极焊接层与所述N型半导体层接触；所述铝合金材料选自以下其中一种：（1）所述铝合金材料是硼、钙、镁、锗、硅中的一种与铝组成的二元合金，所述铝合金材料中硼、钙、镁、锗、硅其中一种的含量为0.1～5wt%，其余为铝；（2）所述铝合金材料是硼、钙、镁、锗、硅中的一种元素以及ⅣB族、ⅤB族、ⅥB族、ⅦB族、IB族、Ⅷ族过渡族中一种或多种元素与铝形成的铝合金材料，所述铝合金材料中硼、钙、镁、锗、硅其中一种元素的含量为0.1～5wt%，ⅣB族、ⅤB族、ⅥB族、ⅦB族、IB族、Ⅷ族过渡族其中一种或多种元素的含量总计为0.1～5wt%，其余为铝；其中，所述有源层的平面面积大于300平方毫英寸；所述半导体发光二极管器件的工作电流大于20mA小于1A；所述正电极焊接层和负电极焊接层的厚度为0.1～10μm；所述N型半导体层为N型掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层，所述P型半导体层为P型掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层；所述正电极焊接层和负电极焊接层位于所述半导体发光二极管器件的同侧或者异侧。