发明名称 |
一种防短路的顶发射OLED器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种防短路的顶发射OLED器件及其制备方法。具体而言,本发明的OLED器件包括衬底、防短路反射阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、兼作间隔层的电子传输层、电子注入层和半透明阴极,其通过包括下列步骤的方法制备:1)衬底的预处理;2)阳极中的铝层的蒸镀;3)阳极中的银层的蒸镀;4)空穴注入层的蒸镀;5)空穴传输层的蒸镀;6)发光层的蒸镀;7)电子传输层的蒸镀;8)电子注入层的蒸镀;和9)阴极的蒸镀。该器件采用铝/银复合阳极,充分发挥了银的高反射率特性,兼顾了铝克服器件短路的优势,彻底解决了纯银阳极的短路问题;同时优化了阴极厚度,兼顾了良好的导电能力和较大的透光率。 |
申请公布号 |
CN105118924A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201510453984.3 |
申请日期 |
2015.07.29 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
钱敏;廖良生;王照奎;史晓波;马杰;柳渊 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋;张淏 |
主权项 |
一种防短路的顶发射OLED器件,其包括衬底以及在所述衬底上由底部至顶部依次蒸镀的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,其特征在于:所述阳极为具有双层结构的铝/银复合阳极,其中铝层介于所述衬底和银层之间,所述铝层的厚度为50~60nm并且以0.3~0.5nm/s的蒸发速率经蒸镀而得,所述银层的厚度为40~50nm并且以0.2~0.3nm/s的蒸发速率经蒸镀而得;所述空穴注入层的厚度为5~15nm;所述空穴传输层的厚度为35~45nm;所述发光层的厚度为15~25nm;所述电子传输层的厚度为10~15nm;所述电子注入层的厚度为10~20nm;所述阴极为半透明的纯银阴极,其厚度为15~25nm。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |