发明名称 |
一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用,采用化学浴沉积法制备薄膜,属于非真空化学气相沉积,该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率,测试表明:当在ZnS中掺杂2at.%的In时,薄膜的杂质相少、光学透过率高(可见光区的光学透过率约为85%)、电阻率低(2.6×10<sup>5</sup>Ωcm)。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。 |
申请公布号 |
CN103531660B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201310486713.9 |
申请日期 |
2013.10.17 |
申请人 |
福州大学 |
发明人 |
程树英;廖洁;周海芳;赖云锋;俞金玲;龙博;贾宏杰;张红 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种In掺杂ZnS薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)利用化学浴沉积法来制备薄膜,以醋酸锌为锌源、硫代乙酰胺为硫源、柠檬酸钠为络合剂,利用醋酸与醋酸锌配合作为缓冲液控制溶液的pH值;(2)以硫酸铟作为掺杂源对薄膜进行掺杂处理,In元素的掺杂量为ZnS的2 at.%;(3)将沉积制得的In掺杂ZnS薄膜在N<sub>2</sub>气氛中进行退火处理,退火处理的温度为350℃,退火处理的时间为1.5 h,冷却至室温。 |
地址 |
350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 |