| 发明名称 | 发光二极管的外延结构及发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种发光二极管的外延结构及发光二极管。本实用新型的发光二极管的外延结构包括：衬底、成核层、非掺杂结构层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层；所述成核层、所述非掺杂结构层、所述N型掺杂层、所述量子阱发光层和所述P型掺杂层依次生长在所述衬底上；所述P型掺杂层的外表面具有刻蚀形成的不相连的多个晶胞。本实用新型可提高发光二极管的发光率。 | ||
| 申请公布号 | CN204834663U | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201520443865.5 | 申请日期 | 2015.06.25 |
| 申请人 | 圆融光电科技股份有限公司 | 发明人 | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 娄冬梅;黄健 |
| 主权项 | 一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括：衬底、成核层、非掺杂结构层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层；所述成核层、所述非掺杂结构层、所述N型掺杂层、所述量子阱发光层和所述P型掺杂层依次生长在所述衬底上；所述P型掺杂层的外表面具有刻蚀形成的不相连的多个晶胞。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||