一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的源/漏区部分形成嵌入式锗硅层；形成一自对准硅化物阻挡层，以覆盖所述栅极结构；蚀刻所述自对准硅化物阻挡层，以露出所述嵌入式锗硅层；在所述嵌入式锗硅层上形成一自对准硅化物，去除所述栅极结构的栅极硬掩蔽层，以露出下方的栅极材料层。根据本发明，在所述栅极结构两侧的源/漏区中形成∑状锗硅层之后，通过形成一自对准硅化物阻挡层以在所述源/漏区形成自对准硅化物时避免在所述栅极结构的顶部形成自对准硅化物。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层的栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有间隙壁结构；在所述半导体衬底的源/漏区部分形成嵌入式锗硅层；形成一自对准硅化物阻挡层，以覆盖所述栅极结构；采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺蚀刻所述自对准硅化物阻挡层，以露出所述嵌入式锗硅层并补偿形成所述嵌入式锗硅层时对间隙壁结构造成的损耗部分；在所述嵌入式锗硅层上形成一自对准硅化物。