一种栅氧化层缺陷的分析方法

摘要

本发明提出一种栅氧化层缺陷的分析方法，其步骤包括：平面找到目标所在区域并标记；裂片，使样品断面的截面到达目标区域附近；将样品竖直放入FIB内使已加工的截面向上；在样品硅衬底内切割，制备样品的第一切割面；取出样品，进行硅腐蚀；将样品再次竖直放入FIB内，在硅衬底上方结构内切割、制备第二切割面，完成制样；进行TEM观测分析。本发明方法针对栅氧化层缺陷分析，是对现有技术分析方法的提高，能够在制备TEM样品时定位栅氧化层缺陷的位置，并且可以使用TEM的高分辨率的特性清楚地观察缺陷的形貌，从而提升集成电路栅氧化层缺陷分析的质量和成功率。

主权项

一种栅氧化层缺陷的分析方法，其步骤包括：步骤S01：平面上找到目标所在区域并标记；步骤S02：裂片使样品断面的截面到达目标区域附近；步骤S03：将样品竖直放入FIB内，使已加工的截面向上；步骤S04：在样品硅衬底内切割，制备样品的第一切割面；步骤S05：取出样品，进行硅腐蚀；步骤S06:将样品竖直再次放入FIB内，在硅衬底上方结构内切割、制备第二切割面，完成制样；步骤S07:进行TEM观测分析。