| 发明名称 | 纳米T型栅的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米T型栅的制作方法，涉及半导体器件及集成电路制作工艺技术领域。包括如下步骤：清洗基片并烘干，在基片上涂一次电子束光刻胶，烘干；涂二次电子束光刻胶，并进行电子束直写并显影，制作T型栅的上半部分；设置不同位置尺寸和剂量，对一次电子束光刻胶进行电子束直写；对一次电子束光刻胶进行显影，制作栅的下半部分；采用蒸发或溅射的方法沉积栅电极金属；剥离金属，去胶，完成T型栅制作。所述方法工艺简单，易行，提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105118774A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510433165.2 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 张立森;邢东;王俊龙;梁士雄;杨大宝;冯志红 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 苏英杰 |
| 主权项 | 一种纳米T型栅的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：1）在衬底（1）的上表面涂覆第一电子束光刻胶，然后烘干，形成第一电子束光刻胶层（2）；2）在第一电子束光刻胶层（2）的上表面涂覆第二电子束光刻胶，然后烘干，形成第二电子束光刻胶层（3）；3）在第二电子束光刻胶层（3）的上表面涂覆第三电子束光刻胶，然后烘干，形成第三电子束光刻胶层（4）；4）对第三电子束光刻胶层（4）和第二电子束光刻胶层（3）进行光刻处理，在第三电子束光刻胶层上形成T型栅（6）的栅帽图形；5）对第一电子束光刻胶层进行光刻处理，在第一电子束光刻胶层（2）上形成T型栅（6）的栅根图形；6）在步骤5）处理后的器件的上表面沉积栅电极金属（5）；7）剥离第一电子束光刻胶层（2）、第二电子束光刻胶层（3）、第三电子束光刻胶层（4）以及第三电子束光刻胶层（4）上表面沉积的栅电极金属（5），在衬底（1）的上表形成T型栅（6）。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||