OTP器件的形成方法

摘要

一种OTP器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面；在所述介质层的表面引入氮元素；在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上方的介质层；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述选择栅和半导体基底的表面。本发明能够改善介质层和图形化的光刻胶的粘附性，避免图形化的光刻胶剥离脱落导致的颗粒污染问题，而且也可以避免OTP器件的数据保存能力受到影响。

主权项

一种OTP器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面，所述介质层的材料为氧化硅，或者，氧化硅和氮化硅的叠层；在所述介质层的表面引入氮元素；所述在所述介质层的表面引入氮元素包括：使用含氮元素的等离子气体对所述介质层的表面进行等离子体处理，使得氮离子扩散进入或注入所述介质层的表面中；在引入氮元素之后的介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上方的介质层；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述引入氮元素之后的介质层进行刻蚀，暴露出所述选择栅和半导体基底的表面。