肖特基二级管的制作方法

摘要

一种肖特基二极管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有n型外延层，以及位于所述n型外延层内的隔离结构；在所述n型外延层表面和隔离结构表面形成层间介质层；沿所述层间介质层的厚度方向进行第一刻蚀工艺，去除部分厚度的层间介质层；进行第二刻蚀工艺，将第一刻蚀工艺后所剩余的层间介质层完全去除，形成暴露所述n型外延层的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；形成填充满所述沟槽内的金属层。采用本发明所提供的肖特基二极管的制作方法可以避免穿刺问题，提高工艺的稳定性，改进所形成的器件的性能。

主权项

一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有n型外延层，以及位于所述n型外延层内的隔离结构；在所述n型外延层表面和隔离结构表面形成层间介质层；沿所述层间介质层的厚度方向进行第一刻蚀工艺，去除部分厚度的层间介质层；进行第二刻蚀工艺，将第一刻蚀工艺后所剩余的层间介质层完全去除，形成暴露所述n型外延层的沟槽；所述第二刻蚀工艺有过刻蚀量，所形成的沟槽的底部位于n型外延层和隔离结构内；在所述沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；形成填充满所述沟槽的金属层。