发明名称 |
用于静电保护的高压NLDMOS结构 |
摘要 |
本发明公开了一种用于静电保护的高压NLDMOS结构,包括一N型LDMOS,形成于一硅衬底上方的N型埋层内;N型LDMOS排列成多指状结构;位于两个漏区之间的源区为共源区;所述漏区的有源区内由N型有源区与P型有源区沿长度方向相间排布;所述共源区内插入P型有源区,P型有源区嵌入在N型有源区内,P型有源区将源区内的N型有源区分别隔开;P型有源区与N型有源区沿长度方向相间排布;所有的漏极共连接ESD进入端,所有的源极共连接地,所有的栅极共连接信号端。本发明通过改变源区上靠近栅极的P+扩散区的宽度,能够有效调整触发电流和骤回电压。本发明用于高压静电保护,既可以有效地提高LDMOS的抗闩锁能力,又能够保证其静电防护能力不受影响。 |
申请公布号 |
CN103545365B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201210240391.5 |
申请日期 |
2012.07.12 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
苏庆;苗彬彬;王邦磷;邓樟鹏 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
张骥 |
主权项 |
一种用于静电保护的高压NLDMOS结构,其特征在于:包括一N型LDMOS,形成于一硅衬底上方的N型埋层内;N型LDMOS排列成多指状结构;位于两个漏区之间的源区为共源区;所述漏区的P型有源区位于N型有源区内,P型有源区在N型有源区内间隔排布;所述共源区内插入P型有源区,P型有源区嵌入在N型有源区内,P型有源区将源区内的N型有源区分别隔开;P型有源区与N型有源区沿长度方向相间排布;所有的漏极共连接ESD进入端,所有的源极共连接地,所有的栅极共连接信号端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |