形成FinFET的方法

摘要

本发明公开了一种形成FinFET的方法，该方法利用硬掩膜在刻蚀中能够保持良好的表面粗糙度的性质，通过硬掩膜形成半导体鳍状物的形貌，再进行湿法刻蚀去除硬掩膜，以形成凹槽，并在半导体基底和由相对于湿法刻蚀剂呈现低选择性的介质材料构成的该凹槽内外延形成半导体鳍状物，使得外延生长的该半导体鳍状物表面继承了硬掩膜良好的表面粗糙度，进而提高了半导体器件的性能。

主权项

一种形成FinFET方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上预定义有半导体鳍状物的位置；在所述半导体基底上形成第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层可被第一刻蚀剂湿法刻蚀去除；在所述第一硬掩膜层上形成图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层覆盖所述预定义的半导体鳍状物位置；以所述图案化的光阻胶层为屏蔽，干法刻蚀第一硬掩膜层，以形成图案化第一硬掩膜，相邻所述图案化第一硬掩膜之间形成有凹陷，所述凹陷底部暴露所述半导体基底表面；沉积介质材料填充所述凹陷，并进行化学机械研磨，以暴露所述第一硬掩膜层，所述介质材料对所述第一刻蚀剂相比于图案化第一硬掩膜对所述第一刻蚀剂呈现低选择性；通过所述第一刻蚀剂进行湿法刻蚀，以形成凹槽，所述凹槽底部暴露所述半导体基底；在所述凹槽内的半导体基底上外延形成半导体层；湿法刻蚀去除部分所述介质材料，以暴露部分半导体层，并以暴露的所述半导体层作为半导体鳍状物；在所述半导体鳍状物表面热氧化形成栅介质层在所述栅介质层表面形成栅极。