一种堆叠型芯片封装结构及封装方法

摘要

本发明提供一种堆叠型芯片封装结构及封装方法，所述封装方法包括以下步骤：S1：形成载体及粘合层；S2：在粘合层表面粘附第一半导体芯片及互连结构；S3：形成第一塑封层；S4：去除所述载体及粘合层；S5：在所述第一塑封层上表面形成第一介质层、下表面形成第二介质层，并基于所述第一介质层形成第一再分布引线层；S6：将第二半导体芯片正面朝下与所述第一再分布引线层键合；S7：形成包围所述第二半导体芯片的第二塑封层；S8：基于所述第二介质层对所述第一半导体芯片及所述互连结构形成第二再分布引线层。本发明通过在堆叠型封装过程中加入互连结构，使得连接点数量增多，从而使得芯片间的互连更容易实现，并可提高堆叠型封装结构的稳定性。

主权项

一种堆叠型芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一载体，在所述载体表面形成粘合层；S2：将第一半导体芯片正面朝下粘附于所述粘合层表面，并在所述第一半导体芯片周围粘附至少一个互连结构；所述互连结构包括支撑体及上下贯穿所述支撑体的若干导电柱；S3：在所述粘合层表面形成第一塑封层，其中，所述第一半导体芯片及所述互连结构嵌于所述第一塑封层内并暴露出上表面；S4：去除所述载体及粘合层；S5：在所述第一塑封层上表面形成第一介质层、下表面形成第二介质层，并基于所述第一介质层对所述第一半导体芯片及所述互连结构形成第一再分布引线层；S6：将第二半导体芯片正面朝下与所述第一再分布引线层键合；S7：形成包围所述第二半导体芯片的第二塑封层；S8：基于所述第二介质层对所述第一半导体芯片及所述互连结构形成第二再分布引线层。