一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。该方法包括：在基底层同一表面形成半导体层和低温多晶硅层；在半导体层背离基底层的一侧形成氧化层，在低温多晶硅层背离基底层的一侧形成氧化层；在氧化层上形成多个第一预设厚度的第一光阻层；在每个第一光阻层上设置一个与之对应的第一钴层；在半导体层中的第一特定区域掺入高浓度掺杂离子；移除第一钴层，对多个第一光阻层进行部分灰化处理，得到多个第二预设厚度的第二光阻层；在每个第二光阻层上设置一个与之对应的第二钴层；在半导体层中的第二特定区域掺入低浓度掺杂离子；移除第二钴层，对第二光阻层进行完全灰化处理，去除第二光阻层。实施本发明，可以减少光罩次数，降低生产时间。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，其特征在于，包括：在基底层同一表面形成半导体层和低温多晶硅层；在所述半导体层背离所述基底层的一侧形成氧化层，在所述低温多晶硅层背离所述基底层的一侧形成所述氧化层；在所述氧化层上形成多个第一预设厚度的第一光阻层；在每个第一光阻层上设置一个与之对应的第一钴层，所述第一钴层的垂直投影与所述第一钴层对应的第一光阻层的垂直投影重合；在所述半导体层中的第一特定区域掺入高浓度掺杂离子；移除所述第一钴层，对所述多个第一光阻层进行部分灰化处理，得到多个第二预设厚度的第二光阻层，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度；在每个第二光阻层上设置一个与之对应的第二钴层，所述第二钴层的垂直投影与所述第二钴层对应的第二光阻层的垂直投影重合；在所述半导体层中的第二特定区域掺入低浓度掺杂离子；移除所述第二钴层，对所述第二光阻层进行完全灰化处理，去除所述第二光阻层。