发明名称 控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型
摘要 本发明提出了一种控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型,重新定义字线的电压,将字线两侧控制栅的电压对字线电压的影响定义在模型中,从而能够获取准确的控制栅电压对字线电压的影响,进而能够精确的模拟出控制栅电压对势垒的影响。
申请公布号 CN105118529A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510491056.6 申请日期 2015.08.11
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 范象泉
分类号 G11C16/34(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅
主权项 一种控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型,其特征在于,包括:V<sub>WL</sub>’=V<sub>WL</sub>+R<sub>1</sub>*V<sub>CG1</sub>+R<sub>2</sub>*V<sub>CG2</sub>其中,V<sub>WL</sub>’为字线模拟仿真所需的电压,V<sub>WL</sub>为施加的字线电压,R<sub>1</sub>*V<sub>CG1</sub>和R<sub>2</sub>*V<sub>CG2</sub>为字线两侧控制栅的耦合电压,V<sub>CG1</sub>和V<sub>CG2</sub>分别为字线两侧施加的控制栅电压,R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>分别为控制栅电压对字线电压的耦合因数。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号