发明名称 |
底部填充膜、密封片、半导体装置的制造方法和半导体装置 |
摘要 |
本发明提供在导热性优异的同时、可以良好地填充半导体元件与基板之间的空间的底部填充膜和密封片。本发明涉及一种底部填充膜,其含有树脂和导热性填料,上述导热性填料的含量为50体积%以上,相对于底部填充膜的厚度,上述导热性填料的平均粒径为30%以下的值,相对于上述底部填充膜的厚度,上述导热性填料的最大粒径为80%以下的值。 |
申请公布号 |
CN105122444A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201480020025.6 |
申请日期 |
2014.03.27 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
盛田浩介;高本尚英;花园博行;福井章洋 |
分类号 |
H01L23/29(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/29(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
葛凡 |
主权项 |
一种底部填充膜,其含有树脂和导热性填料,其中,所述导热性填料的含量为50体积%以上,相对于底部填充膜的厚度,所述导热性填料的平均粒径为30%以下的值,相对于所述底部填充膜的厚度,所述导热性填料的最大粒径为80%以下的值。 |
地址 |
日本大阪府 |