一种制备铜铝硫光电薄膜的方法

摘要

一种铜铝硫薄膜的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗基片，然后将CuCl₂·2H₂O、Al(NO₃)₃·9H₂O放入溶剂中，采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨和升华硫的可密闭容器中，使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触，最后进行干燥，得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铝硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

主权项

一种制备铜铝硫光电薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：a.基片的清洗，将大小为2mm×2mm硅基片按体积比放入三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超声波清洗30min；再将基片放入丙酮∶蒸馏水＝5∶1的溶液中，超声波清洗30min；再在蒸馏水中将基片用超声波振荡30min；将上述得到的基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用；b.将1份CuCl₂·2H₂O、2.200份Al(NO₃)₃·9H₂O放入玻璃瓶中，加入39.789份去离子水和26.526份氨水，利用超声波振动30min以上，使溶液中的物质均匀混合；c.将上述溶液滴到放置在匀胶机上的硅基片上，再启动匀胶机，匀胶机以200转/分转动5秒，以3000转/分旋转15秒，使滴上的溶液涂布均匀后，对基片进行烘干后，再次重复滴上前述溶液和旋涂后再烘干，如此重复10次，于是在基片上得到了一定厚度的前驱体薄膜样品；d.将上述工艺所得的前驱体薄膜样品放入可密闭的容器，并放入1.449份水合联氨和0.375份的升华硫，前驱体薄膜样品置于支架上使其不与水合联氨和升华硫接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至200℃，保温时间18小时，然后冷却到室温取出；e.将上述步骤d所得产物，进行自然干燥后，即得到铜铝硫光电薄膜。