基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法

摘要

一种基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件及其制备方法，埋氧氧化层上从内向外依次设有Si薄膜区、源极或漏极注入区和介质隔离区，Si薄膜区上嵌有体区注入区，源极或漏极注入区和体区注入区上设有欧姆接触电极；埋氧氧化层下设有Si衬底，Si衬底上开有底部向上的凹槽，凹槽表面有背栅电极，埋氧氧化层内有与背栅电极相连的背通孔金属填充区。该器件辐射灵敏度高、感生电荷容量高、工作栅电压低、可靠性高。在基片正面生长介质隔离区；注入离子得源极或漏极注入区和体区注入区；溅射淀积得欧姆接触电极；基片背面刻蚀探测窗口区和背通孔区并向其中填充金属。该方法工艺简单、重复性好、成本低、易和现有大规模集成电路的制作工艺整合。

主权项

一种基于SOI CMOS工艺的辐射探测器件，其特征在于：包括埋氧氧化层(4)，埋氧氧化层(4)的正面从中心向两侧分别依次对称的设有Si薄膜区(8)、源极或漏极注入区(6)和介质隔离区(7)，Si薄膜区(8)的上表面嵌有体区注入区(9)，源极或漏极注入区(6)和体区注入区(9)的上方设有欧姆接触电极(10)；埋氧氧化层(4)的背面设有Si衬底(3)，Si衬底(3)上开设有底部向上的凹槽，凹槽的深度等于Si衬底(3)的厚度，凹槽的表面设有背栅电极(1)，埋氧氧化层(4)内设有与背栅电极(1)相连的背通孔金属填充区(5)。