一种用于触控液晶面板的ITO低温沉积工艺

摘要

本发明公开了一种用于触控液晶面板的ITO低温沉积工艺，其包括步骤：a.将一定比例的铟锡氧化物靶块放置镀膜室内的蒸发源内，关闭镀膜室门并抽真空；b.待工艺室真空度达到5.0×10^-4Pa时充纯度为99.99%的氩气，镀膜室内压强控制在1.0×10^-1～5.0×10^-1Pa；c.在蒸发源与阴极之间施加2～5kv高压使之产生辉光放电形成等离子体，此时铟锡从位于蒸发源内加热蒸发，并进入辉光放电区即等离子区，此时蒸发出的铟锡中性原子氧原子在等离子区被离化，使得生成铟、锡正离子、氧负离子，此时发生化学反应生成In₂O₃-SnO₂，沉积在基片上。本发明低温下即可实现用于触控液晶面板的ITO低温沉积工艺，工艺简洁实用，节能，并能实现导电要求。

主权项

一种用于触控液晶面板的ITO低温沉积工艺，其特征在于，包括步骤：    a.将一定比例的铟锡氧化物靶块放置镀膜室内的蒸发源内，关闭镀膜室门并抽真空；    b.待工艺室真空度达到5.0×10^‑4Pa时充纯度为99.99%的氩气，镀膜室内压强控制在1.0×10^‑1～5.0×10^‑1Pa；c.在蒸发源与阴极之间施加2～5kv高压使之产生辉光放电形成等离子体，此时铟锡从位于蒸发源内加热蒸发，并进入辉光放电区即等离子区，此时蒸发出的铟锡中性原子氧原子在等离子区被离化，使得生成铟、锡正离子、氧负离子，此时发生化学反应生成In₂O₃‑SnO₂，沉积在基片上。