| 发明名称 | 一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于电子元器件领域，提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管的形成方法，包括：形成衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层上形成栅极；以及在所述栅极的外侧包裹着应力衬垫薄膜。本发明还提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管。本发明能有效提高氮化镓异质结场效应晶体管的电学性能，即有效控制阈值电压或把阈值电压向正方向移动从而实现增强型氮化镓器件，同时降低器件的寄生电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN105118785A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510557926.5 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 刘新科;何佳铸;刘强;俞文杰;吕有明;陈凌霄;杨育佳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/84(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人 | 王利彬 |
| 主权项 | 一种氮化镓异质结场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：形成衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层上形成栅极；以及在所述栅极的外侧包裹着应力衬垫薄膜。 | ||
| 地址 | 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||