发明名称 |
透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法 |
摘要 |
Disclosed is a mask blank substrate for use in lithography, wherein the main surface on which the transfer pattern of the substrate is formed has a root mean square roughness (Rms) of not more than 0.15 nm obtained by measuring an area of 1 μm×1 μm with an atomic force microscope, and has a power spectrum density of not more than 10 nm4 at a spatial frequency of not less than 1 μm−1. |
申请公布号 |
JP5826886(B2) |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
JP20140093017 |
申请日期 |
2014.04.28 |
申请人 |
HOYA株式会社 |
发明人 |
折原 敏彦;浜本 和宏;小坂井 弘文;臼井 洋一;笑喜 勉;堀川 順一 |
分类号 |
G03F1/60;C03C15/02;C03C17/34;C03C19/00;G03F1/24;G03F1/84 |
主分类号 |
G03F1/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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