发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,有机发光二极管位于像素单元的像素区域,有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极;半反半透层,位于有机发光二极管与基板之间;彩膜,位于有机发光二极管的第二电极与半反半透层之间;有机发光二极管的第二电极与半反半透层形成微腔结构。还公开了上述阵列基板的制作方法及包括上述阵列基板的显示装置。本发明在阵列基板上实现了结构,制作工艺简单的微腔结构。 |
申请公布号 |
CN103022049B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201210537754.1 |
申请日期 |
2012.12.12 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
宋泳锡;刘圣烈;崔承镇;金熙哲 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种阵列基板,包括多个位于基板上的像素单元,所述像素单元包括:形成在基板上的薄膜晶体管结构;以及由所述薄膜晶体管结构驱动的有机发光二极管,所述有机发光二极管位于所述像素单元的像素区域,所述有机发光二极管在远离基板的方向上依次包括透明的第一电极、发光层、反射光线的第二电极;半反半透层,位于所述有机发光二极管与所述基板之间;彩膜,位于所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层之间;所述有机发光二极管的第二电极与所述半反半透层形成微腔结构;还包括:在所述彩膜和所述第一电极之间设置的树脂层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |