用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法

摘要

本发明在氮化物外延生长的衬底上制备微米PSS，其上沉积二氧化硅膜，在该膜上，沉积金属Ni层，通过退火处理后，以表面均匀分布的纳米尺度的金属Ni颗粒作为掩膜刻蚀衬底，形成纳米图形结构。然后，以所述具有纳米图形结构的二氧化硅作为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构复制到微米PSS衬底上，通过腐蚀去除所述二氧化硅膜，得到纳米级PSS。本发明能够实现纳米图形化衬底的制备，可操作性强，并且不涉及昂贵精密的光刻设备，有利于实现规模化和产业化。

主权项

一种用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在氮化物外延生长的衬底上制备微米PSS衬底；2）在所述微米PSS衬底上沉积二氧化硅膜；3）在所述二氧化硅膜上蒸镀金属Ni层；4）通过退火处理，在所述二氧化硅膜的表面上形成均匀分布的纳米尺度的金属Ni颗粒；5）利用所形成的纳米尺度的金属Ni颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅膜，形成纳米图形结构；6）以所述具有纳米图形结构的二氧化硅为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构转移到微米PSS衬底上；7）通过腐蚀去除所述二氧化硅膜，得到纳米级图形衬底；在步骤1）中，在2英寸蓝宝石衬底的表面上均匀涂覆一层厚度为2.0μm的正性光刻胶；所述微米PSS衬底的图形高度为1.5μm。