| 发明名称 | 铜电镀组合物和使用该组合物填充半导体衬底中的空腔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的主题是尤其用于通过铜的电镀对半导体衬底中的空腔进行填充的组合物，所述空腔例如用于生产三维集成电路中的互连线的“通孔”结构。根据本发明，这一组合物以溶液形式在溶剂中包含：-铜离子，浓度为45mM-1500mM；-铜的络合剂，由选自具有2-4个氨基基团的脂肪族多胺中的至少一种化合物组成、优选乙二胺，浓度为45mM-3000mM；-铜和所述络合剂之间的摩尔比为0.1-5；-硫代二乙醇酸，浓度为1mg/l-500mg/l；以及-任选包含缓冲体系、尤其是硫酸铵，浓度为0.1M-3M。应用：用于电子工业的三维集成电路的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102939408B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201180028861.5 | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 埃其玛公司 | 发明人 | 纳迪亚·弗雷德里克;弗雷德里克·雷纳尔;乔斯·冈萨雷斯 |
| 分类号 | C25D3/38(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 张淑珍;梁兴龙 |
| 主权项 | 一种用于通过铜的电镀对半导体衬底中的空腔进行填充的组合物，其特征在于，所述组合物以溶液形式在溶剂中包含：‑铜离子，浓度为45mM‑1500mM；‑铜的络合剂，由选自具有2‑4个氨基基团的脂肪族多胺中的至少一种化合物组成，浓度为45mM‑3000mM；‑铜和所述络合剂之间的摩尔比为0.1‑5；‑硫代二乙醇酸，浓度为1mg/l‑500mg/l；以及‑任选包含缓冲体系，浓度为0.1M‑3M。 | ||
| 地址 | 法国梅西 | ||