TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。

主权项

一种TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；对掩膜图案进行灰化处理，使得非有源层区域的有源层材料暴露出来，有源层区域仍然被掩膜图案覆盖，对暴露出的有源层材料和栅极绝缘层材料进行刻蚀；再次沉积栅绝缘层材料；剥离剩余的掩膜图案；剥离剩余的掩膜图案后，沉积氧化铟锡层，并通过一次构图，形成像素电极和栅绝缘层过孔。