半导体存储器装置

摘要

根据实施例的一种半导体存储器装置包括存储器基元阵列，该存储器基元阵列包括存储器基元层，所述存储器基元层包含可通过操作以根据不同的电阻状态存储数据的多个存储器基元；以及可通过操作对所述存储器基元进行存取的存取电路，所述存储器基元在施加具有第一极性的电压时，将所述电阻状态从第一电阻状态改变为第二电阻状态，以及在施加具有第二极性的电压时，将所述电阻状态从所述第二电阻状态改变为所述第一电阻状态，所述存取电路将对所述存储器基元进行存取所需的电压施加到与选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线，并将与未选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线中的至少一者置于浮动状态以对所述选择的存储器基元进行存取。

主权项

一种半导体存储器装置，包括：存储器基元阵列，其包括存储器基元层，所述存储器基元层包含多个第一线、与所述第一线交叉的多个第二线，以及设置在所述多个第一线和第二线的交叉处、并通过操作以根据不同的电阻状态存储数据的多个存储器基元；以及存取电路，其通过操作，经由所述第一线和第二线对所述存储器基元进行存取，所述存储器基元在施加具有第一极性的特定电压时，将所述电阻状态从第一电阻状态改变为第二电阻状态，以及在施加具有极性与所述第一极性相反的第二极性的特定电压时，将所述电阻状态从第二电阻状态改变为所述第一电阻状态，处于所述第二极性的在所述第一和第二电阻状态下的所述存储器基元的电压‑电流特性的梯度，与处于所述第一极性的在所述第二电阻状态下的所述存储器基元的所述梯度相比，更接近处于所述第一极性的在所述第一电阻状态下的所述存储器基元的所述梯度，以及所述存取电路将对所述存储器基元进行存取所需的电压施加到与选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线，并将与未选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线中的至少一者置于未从外部提供/施加特定电位的状态以对所述选择的存储器基元进行存取。