发明名称 非挥发性记忆装置、可编程电路以及内容可定址记忆体
摘要 本发明提出一种非挥发性记忆装置、可编程电路以及内容可定址记忆体。非挥发性记忆装置包含多个非挥发性记忆单元。每一非挥发性记忆单元各自包含第一开关、第一忆阻器、第二开关、第二忆阻器以及第三开关。第一开关的控制端耦接至该字符线。第一忆阻器经设定而具有第一阻值。第二开关的控制端耦接至字符线。第二忆阻器经设定而具有第二阻值。第一开关、第一忆阻器、第二开关以及第二忆阻器以交替方式串连于位线与反位线之间。第三开关用以设定第一阻值及第二阻值。本发明提出的非挥发性记忆装置具备有快速读取特性且内部数据不需动态更新。
申请公布号 CN105118528A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510412644.6 申请日期 2015.07.14
申请人 宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 发明人 张家璜;吴瑞仁;黄圣财;简汎宇
分类号 G11C13/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种非挥发性记忆装置,其特征在于,包含:多个非挥发性记忆单元,每一所述非挥发性记忆单元用以储存一个位的数据,每一所述非挥发性记忆单元分别耦接至一位线、一反位线以及一字符线,并且每一所述非挥发性记忆单元各自包含:一第一开关,该第一开关的控制端耦接至该字符线;一第一忆阻器,经设定而具有一第一阻值;一第二开关,该第二开关的控制端耦接至该字符线;一第二忆阻器,经设定而具有一第二阻值,其中该第一开关、该第一忆阻器、该第二开关以及该第二忆阻器以一交替方式串连于该位线与该反位线之间;以及一第三开关,用以对该第一忆阻器设定该第一阻值,及对该第二忆阻器设定该第二阻值。
地址 315195 浙江省宁波市鄞州工业园区(鄞州区姜山镇新张俞村)