| 发明名称 | 抗PID晶体硅电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗PID晶体硅电池的制备方法，包括如下步骤：1)将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、湿法刻蚀；2)将经湿法刻蚀后的硅衬底经过臭氧浓度为25～60ppm的臭氧氮气混合气氧化；3)在经步骤2)处理后的硅衬底表面采用PECVD设备在其表面沉积一层厚度为79～85nm，折射率为2.01～2.09的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>膜；4)经过丝网印刷、烧结后得到抗PID晶体硅电池。该抗PID晶体硅电池的制备方法在现有制备方法的湿法刻蚀和PECVD两步之间添加一道氧化工序，在硅片表面形成一层二氧化硅膜，使得到产品的PID测试结果均低于1％。 | ||
| 申请公布号 | CN105118894A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510579716.6 | 申请日期 | 2015.09.11 |
| 申请人 | 国网天津市电力公司;国家电网公司 | 发明人 | 杨福君;王海滨;康健;杜彬;于欣;郑丽娜;田小禾 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人 | 刘美甜 |
| 主权项 | 一种抗PID晶体硅电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、湿法刻蚀；2)将经湿法刻蚀后的硅衬底经过臭氧浓度为25～60ppm的臭氧氮气混合气氧化，在所述硅衬底上生成一层二氧化硅膜；3)在经步骤2)处理后的硅衬底表面采用PECVD设备在其表面沉积一层厚度为79～85nm，折射率为2.01～2.09的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>膜；4)经过丝网印刷、烧结后得到所述抗PID晶体硅电池。 | ||
| 地址 | 300010 天津市河北区五经路39号 | ||