| 发明名称 | 具有非常低的光学串扰以及改进的读出的硅光电倍增器 | ||
| 摘要 | 基于硅的光电倍增器器件包括基板(1)、第一导电类型的第一层(2)、以及在第一层上形成的第二导电类型的第二层(3)，其中，第一层(2)和第二层(3)形成p-n结，其中，第一层(2)和第二层(3)被设置在基板(1)上或者基板(1)的上面。在基板(1)和第一层(2)之间的材料层(15)实现光吸收体的功能，因此高效地抑制器件的相邻单元之间的串扰。材料层(15)还可以用作用于从器件读出电信号的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105122470A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201480022141.1 | 申请日期 | 2014.04.16 |
| 申请人 | 马克斯-普朗克科学促进协会 | 发明人 | R·米尔佐扬;马萨希罗·捷希玛;E·波波娃 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种基于硅的光电倍增器器件，该光电倍增器器件包括：基板(1)；第一导电类型的第一层(2)；形成在所述第一层(2)上的第二导电类型的第二层(3)；其中，所述第一层(2)和所述第二层(3)形成p‑n结；其中，所述第一层(2)和所述第二层(3)被设置在所述基板(1)上或者在所述基板(1)的上方。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||