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发明名称
缓冲层之成膜方法及缓冲层;METHOD FOR FORMING A FILM OF BUFFER LAYER AND THE BUFFER LAYER
摘要
本发明系关于配置于吸光层与透明导电膜之间、用于太阳电池的缓冲层之成膜方法。具体而言,该缓冲层之成膜方法系将包含锌及铝作为前述缓冲层的金属原料之溶液(4)雾化。然后,将设置于大气压下的基板(2)加热。然后,对加热中的基板喷雾经雾化的溶液。
申请公布号
TW201545365
申请公布日期
2015.12.01
申请号
TW104100691
申请日期
2015.01.09
申请人
东芝三菱电机产业系统股份有限公司 TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人
白幡孝洋 SHIRAHATA, TAKAHIRO;织田容征 ORITA, HIROYUKI;平松孝浩 HIRAMATSU, TAKAHIRO;小林宏 KOBAYASHI, HIROSHI
分类号
H01L31/042(2014.01);H01L21/31(2006.01)
主分类号
H01L31/042(2014.01)
代理机构
代理人
洪武雄陈昭诚
主权项
地址
日本 JP
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