发明名称 |
线型架构之功率半导体元件;POWER SEMICONDUCTOR DEVICE OF STRIPE CELL GEOMETRY |
摘要 |
一种线型架构之功率半导体元件,其包括基材、多个线型功率半导体晶胞与保护环结构。此基材之一表面定义有一活动区域与一终端区域,终端区域位于活动区域之外侧。线型功率半导体晶胞排列于活动区域内。各个线型功率半导体晶胞分别包括一长条状闸极导电结构。保护环结构位于终端区域内,并且包括至少一环状导电结构。此环状导电结构环绕这些线型功率半导体晶胞。环状导电结构与长条状闸极导电结构位于同一个导电层,且至少一个长条状闸极导电结构与位于最内侧之环状导电结构相分离并透过一闸极金属垫电性连接至此位于最内侧之环状导电结构。 |
申请公布号 |
TW201545345 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
申请号 |
TW103117623 |
申请日期 |
2014.05.20 |
申请人 |
力祥半导体股份有限公司 UBIQ SEMICONDUCTOR CORP. |
发明人 |
涂高维 TU, KAO WAY;蔡依芸 TSAI, YI YUN;张渊舜 CHANG, YUAN SHUN |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
李贞仪 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹北市台元一街5号9楼之6 TW |