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发明名称
半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURE
摘要
一种半导体结构,包括一矽基板、一缓冲层、一氮化物磊晶结构层以及复数个不连续性应力释放层。缓冲层配置于矽基板上。氮化物磊晶结构层配置于缓冲层上。不连续性应力释放层配置于矽基板与氮化物磊晶结构层之间,其中不连续性应力释放层的材质为氮化矽。
申请公布号
TW201545337
申请公布日期
2015.12.01
申请号
TW103117502
申请日期
2014.05.19
申请人
新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC.
发明人
杜昇翰 TU, SHENG HAN;黄吉丰 HUANG, CHI FENG
分类号
H01L29/02(2006.01)
主分类号
H01L29/02(2006.01)
代理机构
代理人
叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址
台南市善化区大利三路5号 TW
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