发明名称 半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURE
摘要 一种半导体结构,包括一矽基板、一缓冲层、一氮化物磊晶结构层以及复数个不连续性应力释放层。缓冲层配置于矽基板上。氮化物磊晶结构层配置于缓冲层上。不连续性应力释放层配置于矽基板与氮化物磊晶结构层之间,其中不连续性应力释放层的材质为氮化矽。
申请公布号 TW201545337 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW103117502 申请日期 2014.05.19
申请人 新世纪光电股份有限公司 GENESIS PHOTONICS INC. 发明人 杜昇翰 TU, SHENG HAN;黄吉丰 HUANG, CHI FENG
分类号 H01L29/02(2006.01) 主分类号 H01L29/02(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 台南市善化区大利三路5号 TW