发明名称 锗锡通道电晶体;GERMANIUM TIN CHANNEL TRANSISTORS
摘要 说明关于具有锗锡之电晶体及积体电路的技术、包含这些电晶体的系统、形成它们的方法。这些电晶体包含通道区,通道区包括鳍的锗锡部以致于鳍包含配置于基底上的缓冲层及配置于缓冲层上的锗锡部。
申请公布号 TW201545320 申请公布日期 2015.12.01
申请号 TW104105362 申请日期 2015.02.16
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 皮拉瑞斯提 拉维 PILLARISETTY, RAVI;雷 凡 LE, VAN H.;瑞奇曼第 威利 RACHMADY, WILLY;寇利尔 罗沙 KOTLYAR, ROZA;拉多撒福杰维克 马可 RADOSAVLJEVIC, MARKO;陈 汉威 THEN, HAN WUI;达斯古塔 山萨塔克 DASGUPTA, SANSAPTAK;狄威 吉伯特 DEWEY, GILBERT;朱功 班杰明 CHU-KUNG, BENJAMIN;卡瓦李耶罗 杰克 KAVALIEROS, JACK
分类号 H01L27/118(2006.01);H01L27/11(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L29/772(2006.01) 主分类号 H01L27/118(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US