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经营范围
发明名称
包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成装置;INTEGRATED DEVICE COMPRISING HIGH DENSITY INTERCONNECTS IN INORGANIC LAYERS AND REDISTRIBUTION LAYERS IN ORGANIC LAYERS
摘要
一些新颖特征涉及集成装置(例如,集成封装),其包括集成装置的基底部分、第一晶粒(例如,第一晶片级晶粒)、和第二晶粒(例如,第二晶片级晶粒)。基底部分包括第一无机电介质层,位于第一无机电介质层中的第一组互连,不同于第一无机电介质层的第二电介质层,以及第二电介质层中的一组重分布金属层。第一晶粒耦合至基底部分的第一表面。第二晶粒耦合至基底部分的第一表面,第二晶粒经由第一组互连电耦合至第一晶粒。
申请公布号
TW201545303
申请公布日期
2015.12.01
申请号
TW104112735
申请日期
2015.04.21
申请人
高通公司 QUALCOMM INCORPORATED
发明人
顾世群 GU, SHIQUN;拉朵克拉提柏 RADOJCIC, RATIBOR;金东旭 KIM, DONG WOOK;李载植 LEE, JAE SIK
分类号
H01L23/538(2006.01)
主分类号
H01L23/538(2006.01)
代理机构
代理人
李世章
主权项
地址
美国 US
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