互连结构的形成方法

摘要

本发明揭示了一种互连结构的形成方法，包括：提供具有介质层的矽片；在介质层上形成第一凹槽区，第一凹槽区用于形成互连结构；在介质层上形成第二凹槽区，第二凹槽区用于形成虚拟结构；在介质层上沈积阻挡层，阻挡层覆盖介质层的第一凹槽区、第二凹槽区和介质层的非凹槽区；在阻挡层上沈积金属层，金属层填满第一凹槽区和第二凹槽区并覆盖在非凹槽区上；将非凹槽区上的金属层去除；将非凹槽区上的阻挡层去除。本发明透过在矽片的介质层上形成虚拟结构，当对非凹槽区上的金属层进行过度抛光时，电流将更多的从虚拟结构传导，避免阻挡层被氧化，从而能够均匀地、完全地去除非凹槽区上的阻挡层。